深圳市汇莱威科技有限公司

12年

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2SD1899 NPN硅外延晶体管MP- 3
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型号/规格:

2SD1899

品牌/商标:

NEC

封装形式:

to-252

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特性:

大功率

频率特性:

高频

极性:

PNP型

产品信息

2SD1899 NPN硅外延晶体管MP- 3二三极管销售!原装现货,品质保证!2SD1899 NPN硅外延晶体管MP- 3
 深圳市汇莱威科技有限公司  地址:深圳福田区振兴西路109号华康大夏2栋513室   联系人:肖小姐 朱小姐 朱先生 QQ1399359237   2SD1899 NPN硅外延晶体管MP- 3

汇莱威科技为客户提供全方位一站式电子元件供应链解决方案,尤其在冷偏门、停产断档、计划配套器件供应方面具备优势。随着社会的发展趋势,现已形成一套从“询价-订单-付款-发货-售后服务”的完整管理体系,同时和欧、美、日、韩及台湾等生产厂商及代理商建立了良好的合作关系,不断提高服务质量,因而得到广大用户的大力支持和高度信任!业务发展迅速,现已与全国各地多家贸易商,厂家,科研所,高等院校等建立长期友好的合作关系。 公司一惯坚持:“质量、通过强大的市场服务网络体系向企业提供规范化、化、多元化、全方位的优质服务。品牌NEC,其他型号2SD1899-Z-E1封装形式TO-252材料硅(Si)应用范围功率NPN硅外延晶体管MP- 3O- 252塑料封装晶体管2SD1899-Z特点功耗PCM:2W(环境温度Tamb = 25℃)晶体管( NPN )TO-2521.基地2.收集集电极电流3AICM:集电极 - 基极电压60VV( BR ) CBO:工作和存储结温范围TJ, T英镑: -55 ℃〜+ 150 ℃电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃参数集电极 - 基极击穿电压集电极 - 发射极击穿电压发射极 - 基极击穿电压集电极截止电流发射极截止电流符号V( BR ) CBOV( BR ) CEOV( BR ) EBOICBOIEBOhFE(1)直流电流增益hFE(2)hFE(3)集电极 - 发射极饱和电压基射极饱和电压跃迁频率集电极输出电容启动时间开关时间贮存时间下降时间VCE ( SAT )VBE ( SAT )3.辐射源12 3除非另有specifie )TEST条件民典型值单位VVVIC 。100μA ,我E=0IC 。1妈,我B=0IE=100μA ,我C=0VCB=60V,IE=0VEB=7V,IC=0VCE=2V,IC=200mAVCE=2V,IC=600mAVCE=2V,IC=2AIC=1.5A,IB=150mAIC=1.5A,IB=150mAVCE=5V,IC=1.5AVCB=10V,IE=0, f=1兆赫60607101060100500.251.2120300.5400μAμAVV兆赫pFfTCobtont英镑tfVCC= 30V ,我C= 1A ,我B1=-IB2=-0.05A2.00.5μs分类h及FE(1)秩范围M100-200L160-320K200-400